要点1：CC复合材料与细结构石墨差异性发展。C/C复合材料和细石墨在光伏领域应用的差异化主要包括，1）增密成本在两者生产中均较高，为控制成本，C/C复合材料的孔隙率一般高于细结构石墨，但强度却大于细结构石墨；2）C/C复合材料的刚性和断裂韧性远大于细结构石墨，热膨胀系数通常低于细结构石墨；3）C/C复合材料热导率和电导率低于细结构石墨，电导率低是目前C/C复合材料很少用于直拉单晶炉发热体的原因之一；4）随着产品规模尺寸的增加，细结构石墨的制造难度明显增大，C/C复合材料大尺寸制造难度相对小一些，性价比逐步提升，这也是近年来C/C复合材料在光伏应用领域加速取代细结构石墨的重要原因。

  要点2：光伏晶硅热场技术、工艺降本仍有空间。对于晶硅制造企业，目前热场的痛点主要来源于成本，其中石墨原材料成本高，石墨原材料重量利用率小于50%，C/C复合材料预制体材料利用率在60%-70%，沉积工艺时间长，未来光伏晶硅热场降本需要围绕提高材料利用率和增加使用寿命展开，以大胆创新设计来提高原材料利用率、提高材料抗氧化性能，延长使用寿命、提高加工便利性和套料利用率。

  要点3：第三代半导体产业快速发展，C/C复合材料替代前景可期。第三代半导体SiC、GaN有着更宽带隙、更高电导、热导、高击穿强度等特点，主要应用于高温、高频、大功率器件、半导体激光器、5G通信、卫星雷达、电子对抗、新能源汽车、轨道交通、特高压等领域，IHS更新预测，GaN和SiC功率半导体市场在2027年将超越100亿美元。目前行业内普遍采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶衬底，热场主要采用细结构石墨，坩埚主要采用高纯度石墨，纯度要求<5ppm，保温材料主要采用石墨软毡、硬毡，纯度要求<5ppm。未来，随着技术进步和单晶SiC尺寸的增加，C/C复合材料有望替代细结构石墨用作PVT热场部件。

  要点4：热场沉积设备大型化接近上限，气流场、温度场均匀性或将成为研发重点。近年来光伏硅片大尺寸化发展迅速，热场规格跟随，从2016-2018年的26寸、28寸热场为主，发展到现在36寸热场已成为行业主流，未来1-2年，40寸、42寸热场也将推向市场。热场大尺寸化的发展离不相关大尺寸设备的成功应用，大型炉解决了成本下降的需求，但是在致密均匀性上不如小炉体，设备尺寸再扩大的空间较小，下一步研发重点将在气流场、温场的均匀性控制上，如多区域控制及自动化程度增加等。

  投资建议：第三届半导体用炭材料技术与市场研讨会详细解读了在光伏领域C/C复合材料和石墨材料的竞争、融合关系，C/C复合材料凭借着大尺寸下性价比优势快速替代石墨材料。在第三代半导体领域，随着技术进步和单晶SiC尺寸的增加，C/C复合材料有望替代细结构石墨用作PVT热场部件。此外， 碳基复合材料在多个领域正迎来快速发展阶段，包括汽车刹车盘、储氢瓶、氢燃料电池关键材料碳纸等，碳基复合材料在诸多细分领域正迎来从质到量的关键发展阶段。推荐金博股份。